Подложки и пластины для выращивания полупроводниковых пленок.
Предлагаются пластины Si, Ge, GaAs, InP, InAs, SiC и GaSb, готовые к EPI
Кристаллы и подложки арсенида индия (InAs).
- Высокий коэффициент подвижности и низкая плотность дислокаций
- Хорошая целостность решетки, соответствующие электрические параметры и высокая однородность
- Материал подложки для материалов гетероперехода и эпитаксиального роста AlGaSb
- Шероховатость поверхности (Ra) ≤5Å
- Области применения: инфракрасные излучающие устройства, средневолновой инфракрасный квантовый каскадный лазер (QCL), мониторинг газа, полупроводники Холла и т.д.
Описание:
Монокристалл арсенида индия (InAs) широко используется в качестве материала подложки для материалов с гетеропереходом (InAsSb/In-AsPSb, InNASSb), которые используются при создании инфракрасных излучающих устройств с длиной волны 2～14 мкм. Арсенид индия (InAs) также можно использовать в качестве материала подложки для эпитаксиального роста материалов сверхрешетчатой структуры AlGaSb для средневолнового инфракрасного квантового каскадного лазера (ККЛ). InAs широко используется в мониторинге газа, оптоволоконной связи с низкими потерями. Обладая высоким коэффициентом подвижности, это идеальный материал для полупроводников Холла. Как один из видов монокристаллической подложки, арсенид индия должен иметь низкую плотность дислокаций, хорошую целостность решетки, соответствующие электрические параметры и высокую однородность. Основным методом выращивания этого материала является классический метод вытягивания капсулы с жидкостью (LEC).
Характеристики:
|
Материал |
Монокристалл InAs |
Ориентация |
<100> |
|
Кристальная структура |
куб |
Плотность |
5,66 г/см3 |
|
Точка плавления |
942 ℃ |
Ширина запрещенной зоны (@300 К) |
0,45 эВ |
|
Размер (мм) |
10x10x0,5 мм, 5x5x0,5 мм, Д50,8х0,5мм, Д76,2х0,5мм |
Шероховатость поверхности |
Ra≤5Å |
|
Полировка |
SSP (с одинарной полировкой) или |
Упаковка |
Чистая комната класса 1000, мешки класса 100 |
Химические свойства кристалла InAs:
|
Монокристалл |
допинг |
Тип проводимости |
Концентрация носителя |
Коэффициент мобильности |
Плотность дислокации |
|
InAs |
/ |
N |
5х10 16 |
2х104 |
<5x104 |
|
InAs |
Sn |
N |
(5-20)х1017 |
>2000 |
<5x104 |
|
InAs |
Zn |
P |
(1-20)х1017 |
100-300 |
<5x104 |
|
InAs |
S |
N |
(1-10)х1017 |
>2000 |
<5x104 |
JoomShopping Download & Support
