Кристаллы и подложки антимонида галлия (GaSb)

Подложки и пластины для выращивания полупроводниковых пленок.

Предлагаются пластины Si, Ge, GaAs, InP, InAs, SiC и GaSb, готовые к EPI.

Кристаллы и подложки антимонида галлия (GaSb).

• Хорошо сочетается с каждым тройным, четвертичным и III-V составным твердым телом.
• Максимальный диаметр: 3 дюйма
• Доступны нелегированные, легированные Zn и легированные Te GaSb.
• Шероховатость поверхности: Ra <0,5 нм
• Чистая упаковка: чистая комната класса 1000 и мешки класса 100
• Области применения: передача по инфракрасному оптическому волокну, потенциальное применение в микроволновом поле.

Описание:

Постоянная решетки антимонида галлия (GaSb) хорошо согласуется с твердым раствором каждого тройного, четвертичного соединения и соединения III-V в запрещенной зоне 0,8–4,3 мкм, что делает его хорошим материалом подложки, используемым в передаче инфракрасного оптического волокна. Ожидается, что GaSb с более высокой подвижностью, ограниченной решеткой, чем GaAs, будет иметь хорошие перспективы в области микроволнового излучения. 

Предлагаем изготовленные на заказ кристаллы и подложки GaSb в соответствии с запросом клиента, доступен максимальный диаметр 3 дюйма. Предлагаются три типа материалов GaSb: нелегированный, легированный цинком (Zn) и легированный теллуром (Te) GaSb. Все подложки проходят строгие испытания и упаковываются в чистую комнату класса 1000 и пакеты 100 класса.

Характеристики:

Химические свойства кристалла GaSb: