Субстраты LaAlO3

Подложки и пластины для выращивания магнитных и сегнетоэлектрических пленок.

    Пластины, изготовленные из MgO, SrTiO₃, LSAT, LaAlO₃, MgAl₂O₄, GGG, SGGG, Fe:SrTiO₃, Nb:SrTiO₃, Nd:SrTiO₃, Al₂O₃ (сапфир), TGG, TiO₂, предлагаются для выращивания магнитных и ферроэлектрических пленок, все пластины упакованы EPI.  Предлагаются различные складские и стандартные пластины SAW.

Субстраты LaAlO_3.

• Максимальный диаметр: 3 дюйма, типичная толщина 0,5/1,0 мм.
• Ориентация подложек LaAlO₃: <100＞, <110＞, <111＞
• Шероховатость поверхности: Ra <0,5 нм
• Чистая упаковка: чистая комната класса 1000 и мешки класса 100
• Области применения: эпитаксиальный рост высокотемпературных сверхпроводников (HTSC), магнитные и сегнетоэлектрические тонкие пленки, микроволны с низкими потерями и диэлектрический резонанс.

Описание:

Монокристалл LaAlO₃ (алюминат лантана) имеет хорошую решетку, соответствующую многим материалам со структурой перовскита. Это отличная подложка для эпитаксиального выращивания высокотемпературных сверхпроводников (HTS), магнитных и сегнетоэлектрических тонких пленок. Диэлектрические свойства кристалла LaAlO₃ хорошо подходят для применения в микроволновом диапазоне с малыми потерями и в диэлектрическом резонансе. 

Предлагаем не только стандартные пластины LaAlO₃, готовые к эпиляции, но и пластины нестандартного типа по запросу.

Общие характеристики:

Продукция:

Техническая визуализация:

Кривые:

1）Типичная кривая рентгеновской дифракции (XRD) кристаллов LaAlO₃ <100> подложек

2)  Типичная шероховатость поверхности подложки LaAlO₃  <100> и <001>, измеренная с помощью атомно-силового микроскопа (AFM) в масштабе 5 мкм x 5 мкм.