Пластины и кристаллы SAW

Цена: 0.00 USD
Количество:
Производитель: Shalom EO, Китай
Срок поставки: 60 дней
Модель:

Пластины и подложки.

Пластины и кристаллы SAW.

Устройство поверхностной акустической волны (SAW) представляет собой устройство, которое передает входной электрический сигнал в акустический сигнал через обратные пьезоэлектрические эффекты или наоборот, акустическая волна распространяется по поверхности подложек или пластин SAW, и в конечном итоге акустический сигнал будет передан в электрический сигнал на другой клемме подложек. Устройства SAW обеспечивают широкие возможности применения в области радио и телевидения, мобильной и беспроводной телефонной связи, спутниковой связи, системы GPS, системы идентификации (например, электронной метки) и т.д. Где устройства SAW используются в качестве фильтров, генераторов, корреляторов и линий задержки и т.д. Особенно в индустрии мобильной связи устройства SAW являются важными компонентами, которые определяют эффективность передачи информации. Устройства SAW продолжают представлять интерес из-за их превосходных функциональных характеристик в линиях задержки, фильтрах и других УВЧ, УКВ и микроволновых устройствах.

Пластины или подложки SAW являются важнейшими частями устройства SAW для достижения преобразования энергии между механической волной и электрическим сигналом. Поскольку скорость SAW чрезвычайно низкая, очень традиционно отбирать сигналы и чередовать их, когда сигналы проходят между двумя терминалами.

С момента открытия пьезоэлектрических эффектов в кристаллах, таких как кварц и турмалин, французскими учеными братом Кюри в 1880 году, исследователи разработали последовательное множество новых пьезоэлектрических кристаллов. Однако из-за различных факторов среди них только несколько типов материалов могут быть фактически трудоемко изготовлены оптом, в основном кварц, ниобат лития (LiNbO3) и танталат лития (LiTaO3). Кварц обладает тонкой температурной стабильностью, но его коэффициент электромеханической связи относительно низок; LiNbO3 имеет большой коэффициент электромеханической связи, но его отрицательный температурный коэффициент также нежелательно велик; LiTaOимеет преимущество перед LiNbO3 по температурному коэффициенту, но его коэффициент электромеханической связи не достигает даже четверти LiNbO3.

Можем предоставить как готовые версии, так и пользовательские версии пластин SAW. Доступны слитки кристаллов LiNbO3, LiTaO3, кварца и LGS SAW, заготовки для пластин, полированные пластины SAW диаметром до 6 дюймов.

Кристаллы и пластины лангасита (LGS).

  • Подходит для устройств поверхностных акустических волн (SAW) и объемных акустических волн (BAW)
  • Высокая термическая стабильность при температуре до 900°C
  • Высокий электромеханический коэффициент связи (15,8%)
  • Диаметр пластин: 6-76,2мм

Описание:

Силикат галлия лантана (в этой статье именуемый LGS), также известный как лангазит, имеет химическую формулу вида A3BC3D2O14, где A, B, C и D указывают на определенные катионные участки. A — декаэдрический (куб Томсона) участок, координируемый 8 атомами кислорода. B - это октаэдрический участок, координируемый 6 атомами кислорода, а C и D - тетраэдрические участок, координируемые 4 атомами кислорода. В этом материале лантан занимал А-участки, галлий - B, C и половину D- участков, а кремний - другую половину D- участков. Лангазит имеет свою кристаллическую структуру, относящуюся к космической группе P321, точечной группе 32.

LGS представляет собой пьезоэлектрический материал без фазовых переходов до температуры плавления 1470°C. Монокристалл LGS может быть выращен с помощью метода Чохральского, в котором кристаллизация инициируется на вращающемся затравочном кристалле, опущенном в расплав с последующим извлечением из расплава. Рост LGS происходит в первую очередь по направлению z. Коэффициент электромеханической связи LGS выше, чем у кристалла кварца, и ниже, чем у кристалла танталата лития.

Кристаллы LGS имеют K^2el.mech. значение в два раза превосходит значение кристалла кварца, а их температурные коэффициенты равны. Это позволяет изготавливать широкополосные фильтры с высокой температурной стабильностью. Также необходимо отметить, что величина скорости распространения поверхностной акустической волны в кристалле LGS значительно ниже, это значение определяет размер фильтра. При изготовлении кварцевых и ЛГС-фильтров, работающих на одной центральной частоте, геометрические размеры фильтров ЛГС будут меньше, что отвечает требованиям современной электроники и экономит материал.

С точки зрения пьезоэлектрических применений, хотя LGS имеет коэффициент электромеханической связи в три раза больше, чем у пьезоэлектрических кристаллов, более половины материалов являются дорогими, что затрудняет конкуренцию с дешевыми и большими количествами кристаллических материалов. Его основное применение ограничено стремлением к совершенству без затрат, таким как военная, авиационная, аэрокосмическая и другие области.

Сообщалось, что кристалл лангасита (La3Ga5SiO14, LGS), принадлежащий к космической группе P321, точечная группа 32, является перспективным новым пьезоэлектрическим материалом для изготовления устройств поверхностных акустических волн (SAW) и объемных акустических волн (BAW). Приборы из кристалла лангасита могут использоваться при высокой температуре до 900°C из-за его высокой термической стабильности. Предлагаем заготовки из кристаллов LGS, полированные подложки и пластины по запросу клиента.

Спецификации:

LS Кристаллы Заготовки или Блоки:

X Направление

5 ~ 40 мм

Направление Y

5 ~ 40 мм

Направление Z

~80мм

Точность направления

±20'

Ломтики лангасита:

Диаметр

5 ~ 14 мм

Частота

2,7 ~ 21 МГц

Точность направления

±20'

Шероховатость поверхности (притирается)

Ra = 0,3 ~ 0,5 мкм

Датчик, пластины SAW:

Диаметр

6 ~ 76,2 мм

Толщина

0,13 ~ 0,5 мм

Эталонная квартира

2 ~ 15 мм

Шероховатость поверхности (CMP с одной или сдвоенной стороны)

Ра≤1нм

Ориентация

Следуя спецификациям заказчика

   

Основные свойства:

Кристалл лангасита обладает некоторыми замечательными свойствами, такими как более высокий электромеханический коэффициент связи, чем кварц, отсутствие фазового перехода от комнатной температуры к температуре плавления. Некоторые свойства кристалла лангасита приведены в таблице 1.

Таблица 1: Диэлектрические, упругие константы жесткости и их температурные коэффициенты первого порядка кристалла лангасита

Постоянный

Относительная диэлектрическая проницаемость

Пьезоэлектрическая проницаемость (пС/Н)

Эластичная жесткость (1011Pa)

ε11

ε33

д11

д14

с11

с12

с13

с14

с33

с44

Ценность

18,96

50,19

5,66

-5,48

1,898

1,058

1,022

0,144

2,626

0,535

Первый орден Temp.Coef. (10-6. К-1)

150

-760

329

-342

-66

204

-75

-335

-94

-63

Таблица 2: Сравнительные свойства пьезоэлектрических кристаллов

Свойства кристаллов

Кварцевый SiO2

Лангасит La3Ga5SiO14

Тетраборат лития Li2B4O7

Литий танталит LiTa3

Коэффициент электромеханической связи K%(BAW)

7,0

15,8

24,0

47,0

Интервал частоты Δf, %

0,25

0,90

4,00

7,00

Q-фактор Q, x103

100

50

10

2

Температурно-частотный коэффициент TFC, x10-6/°С

0,5

1,6

6,0

4,0

С быстрым развитием коммуникационных технологий система связи нового поколения позволяет людям не только разговаривать, но и передавать изображения, данные и видео. Кристалл лангасита обладает высокими свойствами SAW по сравнению с кварцем, что делает его наиболее конкурентоспособным материалом в этой области. Saw свойства лангасита и кварца перечислены в таблице 3.

Таблица 3: SAW свойства лангасита и кварца

Свойства кристаллов

Кварц (SiO2)

Лангасит (La3Ga5SiO14)

Плотность (г/см3)

2,65

5,746

СКОРОСТЬ SAW Скорость Vef (м/с)

(0º, 132.75 º,0 º)3157

(0º,140º,25 º)2756

K2emc, %(SAW)

0,14

0,36

Temp.coef второго порядка. α2(x10)-8/°С2)

-3,2

-6,8

Temp. Coef. TTO(°C)

25

23

Диэлектрическая проницаемость (ε)

4,92

27

Угол потока мощности Ф, º

0

0,5

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support

Высокое качество оказываемых услуг и минимальные сроки доставки лазеров, оптики и оптомеханики достигается за счет собственной логистики на всех участках доставки товара, осуществление таможенного оформления собственными силами, финансовой прозрачности внешнеторговых операций, отсутствия посредников в цепи поставки, контроля сроков изготовления и доставки лазерных и оптических систем и их элементов.

Напишите нам

Пожалуйста, заполните все поля формы.
Пожалуйста, заполните все поля формы.

Будьте с нами на связи

 

Юридический адрес:
108802, Москва, с.п. Сосенское, дер. Сосенки, ул. Ясеневая дом 5, кор.1, офис V/8

Фактический адрес:
108802, Москва, с.п. Сосенское, дер. Сосенки, ул. Сосновая 1Б, офис 806