Кристаллы и пластины GaN (нитрид галлия)

Подложки и пластины для выращивания тонких пленок GaN.

Пластины Al₂O₃ (сапфир), Si, GaAs, LiAlO₂, MgAl₂O₄, SiC, ZnO и GaN для выращивания тонких пленок GaN, готовые пластины EPI.

Кристаллы и пластины GaN (нитрид галлия).

• Широкая прямая запрещенная зона, прочные атомные связи и высокая теплопроводность
• Стабильные физические и химические свойства
• Отличные оптоэлектронные свойства в коротковолновом диапазоне;
• Типичная ориентация пластин GaN: ось C или <0001>;
• Применение: синие, зеленые и ультрафиолетовые светодиоды, синие и ультрафиолетовые лазерные диоды (LD), мощные электронные устройства и высокочастотные электронные устройства.

Описание:

Благодаря широкому прямому зазору (3,4 эВ), прочным атомным связям, высокой теплопроводности и отличной радиационной стойкости, кристаллы и пластины GaN (нитрида галлия) являются не только коротковолновым оптоэлектронным материалом, но и хорошим альтернативным материалом для высокотемпературных полупроводниковых устройств. Основываясь на стабильных физических и химических свойствах, GaN подходит для применения в светодиодах (синий, зеленый, ультрафиолетовый свет), ультрафиолетовых детекторах и оптоэлектронных мощных и высокочастотных устройствах. 

Предлагаем заказные пластины и подложки из нитрида галлия в соответствии с запросом клиента, доступны варианты N-типа и полуизолирующих типов пластин GaN. Наши кристаллы и пластины нитрида галлия широко используются в различных светодиодах, лазерных диодах синего света и ультрафиолетовых (УФ) лазерных диодах (LD), электронных устройствах высокой мощности и высокочастотных электронных устройствах.

Технические характеристики